Can't Open include file!
 
к началу раздела новостейлучшие новости и самые популярные новости за 30 дней
простые анонсы новостей на email ежедневно или раз в неделю
наш Новости от Ладошек в RSS на Google: Добавить rss-канал новостей Ладошек на ваш Google (что такое RSS?)
  Intel и Micron создали высокоскоростную NAND флэш-память
07.02.2008 22:43
просмотров: сегодня 1, всего 2321
автор новости: VMir
связанные темы: Intel; NAND; корпоративные новости; накопители информации; технологии

Intel и Micron создали высокоскоростную NAND флэш-память

Фирмы Intel Corporation и Micron Technology Inc. объявили о завершении разработки новой высокоскоростной технологии для NAND флэш-памяти, пятикратно ускоряющей передачу данных в сравнении с современными образцами. Претворением этой технологии в жизнь занимается созданное двумя компаниями совместное предприятие IM Flash Technologies.



Новая технология основана на последней версии интерфейса ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface) в сочетании с четырехуровневой архитектурой и более высокой тактовой частотой. Как утверждают специалисты компаний, в результате скорость чтения составила 200 МБ/с, а скорость записи – 100 МБ/с, что значительно выше показателей нынешней флэш-памяти (скорость чтения/записи – 40 МБ/с и 20 МБ/с, соответственно).



Более высокие скоростные показатели флэш-памяти, несомненно, позитивно скажутся на скорости передачи данных между различными устройствами, включая компьютеры, цифровые камеры, MP3-плееры и сотовые телефоны. Скорость передачи данных в гибридных дисках возрастет примерно в 4 раза в сравнении с обычными жесткими дисками. Так же новая флэш-память будет весьма кстати для нового протокола USB 3.0, десятикратно превосходящего по пропускной способности стандарт USB 2.0.



Готовясь к выходу на рынок, компания Micron заявила, что станет первым изготовителем флэш-памяти на базе новой технологии. Micron готовит образцы одноуровневой (single-level cell, SLC) высокоскоростной флэш-памяти емкостью 8 ГБ (спецификация ONFi 2.0) для OEM-производителей с целью начать массовое производство во второй половине текущего года. Появление многоуровневой высокоскоростной флэш-памяти следует ждать в следующем году.

- «     оценка: 5 (6 чел.)     » +
1   2   3   4   5
«скучноинтересно»

Устанавливайте линк на Ладошки на своих сайтах, изучайте коммерческую информацию, посещайте разделы сайта (форум, чат, новости, файлы, прочие). Оцените эту новость и оставьте свой комментарий ниже на странице.

Скоро конкурс с призами! Подпишитесь: и узнайте, а также получайте ежедневный или еженедельный дайджест новостей, анонсов программ под ваш КПК, акций сайта на ваш почтовый ящик.
  • вернуться к списку новостей
Обсуждение этой новости ниже:
08.02.2008 08:49 - Muxa777

Молодцы! Ещё бы дёшево и доступно было бы...



Чтобы писать комментарии вам нужно
авторизоваться (войти) или зарегистрироваться


 
Похожие новости:
21.07.2008
Корпорации Intel — 40 лет

21.07.2008
Samsung и Sun совместно создадут новый вид флеш-памяти

17.07.2008
Cегнетоэлектрическая NAND флэш-память служит несколько сотен лет

19.02.2008
SanDisk и Toshiba договорились о строительстве завода по производству NAND флэш-памяти

11.12.2007
Samsung сделает 1,3-дюймовые SSD-накопители

18.10.2007
Intel и ARM защитят данные в мобильных устройствах

20.09.2007
Intel всем показала замену КПК

11.03.2007
Intel работает над новым чипом для конкурентов iPhone

08.02.2007
Intel работает над x86-процессором для КПК

29.01.2007
Toshiba готовится к эре iPhone

05.01.2007
Очередное уплотнение: NAND-память. Закон Мура жив

02.11.2006
Выбери сам программную начинку и ОС своего телефона

23.03.2006
moviNAND — скоростная MMC-карта на базе NAND-памяти

23.03.2006
SSD-диск на флэш-памяти — быстрая замена винчестера

14.12.2005
Новая флеш-память DiskOnChip H3 от Toshiba

Andrew Nugged, © XXI
Копирование и цитирование материалов только при наличии гиперссылки на страницу Ладошек без блокировки индексации
Рейтинг Ладошек: КПК, мобильность, коммуникаторы, смартфоны, гаджеты, высокие технологии