Can't Open include file!
 
к началу раздела новостейлучшие новости и самые популярные новости за 30 дней
простые анонсы новостей на email ежедневно или раз в неделю
наш Новости от Ладошек в RSS на Google: Добавить rss-канал новостей Ладошек на ваш Google (что такое RSS?)
  В 1000 раз быстрее, чем флэш
17.12.2006 15:56
просмотров: сегодня 2, всего 2754
автор новости: Вячеслав Черников (devious)
связанные темы: IBM; Samsung; Sharp; накопители информации; технологии

В 1000 раз быстрее, чем флэш

Пока флэш отвоевывает позиции у жестких дисков, производители уже вовсю работают над следующим поколение энергонезависимой памяти.



Корпорация Sharp объявила о том, что она совместно с Национальным институтом передовой отраслевой науки и технологий (National Institute of Advanced Industrial Science & Technology) Японии разработала технологию управления памятью Resistance RAM (RRAM), которая в 100 раз быстрее распространенной флэш-памяти. Новая технология позволит упростить создание и использование чипов RRAM, что должно поспособствовать скорейшему внедрению памяти RRAM.



Еще более выдающегося результата удалось добиться инженерам IBM, Macronix (Тайвань) и Qimonda (Германия), которые совместно разработали память phase-change RAM (PRAM), которая обещает быть в 500-1000 (!) раз быстрее существующей флэш-памяти, потребляя при этом в 2 раза меньше электроэнергии. IBM планирует начать массовое производство PRAM только в 2015 году, в то время как конкуренты также ведут разработку схожих технологий. Например, Samsung обещает начать внедрение PRAM-памяти уже в 2008 году, правда, эта память будет быстрее флэш-памяти всего в 30 раз. Остальные производители планируют перейти на PRAM к началу следующего десятилетия.



Энергонезависимая память будущего может вытеснить не только жесткие диски, но и быструю оперативную память. Напомним также, что летом американская компания Freescale объявила о массовом производстве памяти MRAM, которая по своим характеристикам заметно превосходит флэш-память.

- «     оценка: 4 (12 чел.)     » +
1   2   3   4   5
«скучноинтересно»

Устанавливайте линк на Ладошки на своих сайтах, изучайте коммерческую информацию, посещайте разделы сайта (форум, чат, новости, файлы, прочие). Оцените эту новость и оставьте свой комментарий ниже на странице.

Скоро конкурс с призами! Подпишитесь: и узнайте, а также получайте ежедневный или еженедельный дайджест новостей, анонсов программ под ваш КПК, акций сайта на ваш почтовый ящик.
  • вернуться к списку новостей
Обсуждение этой новости ниже:

Ваше мнение будет первым.



 

Чтобы писать комментарии вам нужно
авторизоваться (войти) или зарегистрироваться


 
Похожие новости:
01.03.2009
Популярные новости зимы 2008-2009 гг.

21.07.2008
Samsung и Sun совместно создадут новый вид флеш-памяти

26.02.2008
IBM сообщили о новом этапе в создании атомной памяти

05.01.2007
Очередное уплотнение: NAND-память. Закон Мура жив

03.01.2007
1 Гб DRAM и более для телефона

13.12.2006
OneDRAM – быстрая память для умных телефонов

06.11.2006
Samsung снова уплотняет флэш-память

06.10.2006
Заговори по японски в мгновение ока

14.09.2006
64 ГБ формата CompactFlash

23.03.2006
moviNAND — скоростная MMC-карта на базе NAND-памяти

23.03.2006
SSD-диск на флэш-памяти — быстрая замена винчестера

13.09.2005
Samsung Electronics анонсировала свой новый NAND-чип для карт флэш-памяти

03.06.2005
Компания Samsung Electronics разработала первый в мире Solid State Disk (SSD) на основе NAND-технологий

29.03.2012
«ГлазОК» – электронный дверной глазок со звонком, камерой и ЖК-дисплеем

30.10.2011
Устройства Samsung с гибкими дисплеями на прилавках уже в 2012 году

Andrew Nugged, © XXI
Копирование и цитирование материалов только при наличии гиперссылки на страницу Ладошек без блокировки индексации
Рейтинг Ладошек: КПК, мобильность, коммуникаторы, смартфоны, гаджеты, высокие технологии