Компании Samsung Electronics и Sun Microsystems объявили о партнёрской программе по созданию флеш-памяти типа SLC NAND (Single Level Cell — с одноуровневыми ячейками) для использования в твердотельных накопителях.
По сравнению с обычной флеш-памятью, эта новая разновидность в пять раз увеличит количество циклов записи-стирания, что позволит значительно продлить срок её службы и использовать её в твердотельных дисках серверов.
По словам представителей Samsung, SLC будет в 100 раз лучше обычной памяти по показателю количества операций ввода-вывода в секунду в рассчёте на 1 ватт потребляемой энергии.
В компании Sun считают, что новая разработка сделает настоящий переворот в аппаратном обеспечении серверов.
- « оценка: 4.33 (3 чел.) » +
 
| Оцените новость и оставьте свой комментарий ниже на странице,
подпишитесь на рассылку новостей, файлов, книг.
Поддержите Ладошки своей посещаемостью, изучением коммерческой информации, ссылками.
|
