Фирмы Intel Corporation и Micron Technology Inc. объявили о завершении разработки новой высокоскоростной технологии для NAND флэш-памяти, пятикратно ускоряющей передачу данных в сравнении с современными образцами.
Претворением этой технологии в жизнь занимается созданное двумя компаниями совместное предприятие IM Flash Technologies.
Новая технология основана на последней версии интерфейса ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface) в сочетании с четырехуровневой архитектурой и более высокой тактовой частотой. Как утверждают специалисты компаний, в результате скорость чтения составила 200 МБ/с, а скорость записи – 100 МБ/с, что значительно выше показателей нынешней флэш-памяти (скорость чтения/записи – 40 МБ/с и 20 МБ/с, соответственно).
Более высокие скоростные показатели флэш-памяти, несомненно, позитивно скажутся на скорости передачи данных между различными устройствами, включая компьютеры, цифровые камеры, MP3-плееры и сотовые телефоны. Скорость передачи данных в гибридных дисках возрастет примерно в 4 раза в сравнении с обычными жесткими дисками. Так же новая флэш-память будет весьма кстати для нового протокола USB 3.0, десятикратно превосходящего по пропускной способности стандарт USB 2.0.
Готовясь к выходу на рынок, компания Micron заявила, что станет первым изготовителем флэш-памяти на базе новой технологии. Micron готовит образцы одноуровневой (single-level cell, SLC) высокоскоростной флэш-памяти емкостью 8 ГБ (спецификация ONFi 2.0) для OEM-производителей с целью начать массовое производство во второй половине текущего года. Появление многоуровневой высокоскоростной флэш-памяти следует ждать в следующем году.
- « оценка: 5 (6 чел.) » +
|
