Национальный институт по перспективным направлениям науки и промышленных технологий совместно с Университетом Токио разработали новый тип флэш-памяти, которая занимает меньше места и служит значительно дольше.
Физические размеры нынешних микросхем флэш-памяти составляют 20 нанометров, прототип разработанной учёными сегнетоэлектрической NAND флэш-памяти будет иметь размер 10 нанометров. Также в новом типе памяти напряжение при перезаписи составляет всего 6 вольт (вместо 20 вольт в старом типе).
Сроки службы нового типа флэш-памяти достигают пары сотен лет, количество записи — 100 миллионов раз.
Напомним, что у нынешнего типа флэш-памяти эти параметры равны десяти годам работы с возможностью перезаписи до десяти тысяч раз.
- « оценка: 4.89 (9 чел.) » +
 
| Оцените новость и оставьте свой комментарий ниже на странице,
подпишитесь на рассылку новостей, файлов, книг.
Поддержите Ладошки своей посещаемостью, изучением коммерческой информации, ссылками.
|
