Токийский технологический институт (Tokyo Institute of Technology) совместно с компанией Fujitsu разработал новый материал для сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти (Ferroelectronic RAM, FeRAM). Он представляет собой изменённый феррит висмута (BiFeO3 или BFO) и позволит создавать модули памяти с плотностью данных в пять раз больше, чем у современных аналогов FeRAM. Новую память Fujitsu сможет производить по 65нм технологическому процессу, что обеспечит ёмкость одной ячейки до 256 мегабит (на сегодняшний день 1 Мбит при 180нм тех. процессе).
Память, построенная с использованием BFO, будет иметь очень низкое энергопотребления и высокие скоростные характеристики. Разработки по внедрению нового материала в производство памяти еще продолжаются, но первые коммерческие поставки намечены на 2009 год.
- « оценка: 5 (1 чел.) » +
| Оцените новость и оставьте свой комментарий ниже на странице,
подпишитесь на рассылку новостей, файлов, книг.
Поддержите Ладошки своей посещаемостью, изучением коммерческой информации, ссылками.
|
